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銅柱凸塊(copper pillar bump，CPB)技術是在覆晶封裝晶片的表面製作焊接凸塊，使其具備導電、導熱和抗電子遷移能力的功能。不同於傳統的銲錫凸塊，每個散熱銅柱凸塊就如同微尺寸的固態熱泵。散熱凸塊可整合成標準覆晶封裝的一部份，並與電性凸塊結合(用於電源、接地和訊號)，這種技術提供電子產品新的散熱功能，可以如同電晶體、電阻和電容整合到電路設計之中。
這種技術延伸傳統銲錫凸塊連接的應用，並提供覆晶封裝零件主動式與整合的冷卻功能。它的電力生成能力使得銅柱凸塊能夠運用在能源回收上，在此之前，銲錫凸塊只能提供機械性、電性和被動式的散熱功能。 |
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良好的散熱/導電特性 |
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具低電阻/電感特性 (lower electrical resistance, inductivity) |
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具低熱阻 (lower thermal resistance) |
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較佳的抗電遷移能力 (better resistance to electromigration) |
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提供更細微之線距 (fine pitch) |
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符合RoHS規範 (Cu post + SnAg cap) |
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高腳數邏輯IC (High pin logic) |
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記憶體及行動裝置 (Memory & Mobile) |
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LED 次封裝 (submount) |
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車用電子元件 (Automotive) |
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生物醫療裝置 (Medical devices) |
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本公司的研發主要著重於可應用於不同晶圓級封裝中所需的金屬層，這些金屬層可以電鍍沉積技術來完成。 |
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提供細微化至50 um間距晶片間直列式銅柱凸塊技術 |
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提供40-100um高度之銅柱凸塊技術 |
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8吋及12吋積體電路晶圓銅柱凸塊(Cu pillar bump)技術 |
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