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| 什麼是晶圓錫鉛凸塊技術(Solder Bumping)先利用薄膜、黃光及電鍍製程或印刷技術於晶片鋁墊上製作錫鉛凸塊；於後段IC封裝製程上，再利用熱能將凸塊熔融，與電路基版上之錫墊進行封裝(assembly)。此技術可大幅縮小IC 封裝的體積，並具有密度大、低感應、低成本、散熱能力佳等優點。此凸塊適合應用於Flip Chip封裝應用(覆晶封裝)，諸如記憶體、微處理、射頻IC等皆可應用。 |
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| 先進高階微電子封裝技術發展，正持續地從打線方式 (wire bonds) 往錫鉛凸塊 (solder bumps) 轉移。目前有不同的錫鉛凸塊技術可運用在量產上，這些技術包括了電鍍、錫膏轉印、蒸鍍與銲球直接黏著等方式。 覆晶封裝 (Flip Chip in Package, FCiP) 則需要在很密的間距 (pitch) 中，產生很多小型凸塊，而晶圓級晶片尺寸封裝 (Wafer Level Chip Scale Packaging, WLCSP) 一般只需要在較大的間距內，具有大得多的錫鉛凸塊。覆晶技術 (Flip Chip Technology) 已成為元件構裝技術的主流之一，不論是那一種覆晶技術，凸塊的製作是不可或缺的，凸塊的材料從早期的錫鉛凸塊至今受到環保意識抬頭的影響而發展到無鉛凸塊 (Lead Free Solder。 隨著半導體技術的發展及產品功能的多樣化，元件構裝技術的種類也越來越多變，以符合不同的需求。所有這些已存在的凸塊技術，在微細間距 (fine pitch) 要求下具有很重要的限制，特別是在無鉛銲錫合金上。最常見用來製造微細間距錫鉛凸塊的方式，是電鍍錫鉛。將傳統應用於鋁晶片的凸塊及組裝製程經修改後應用於銅晶片上，且已成功應用於覆晶組裝中，覆晶構裝結合將更能彰顯優越性。 |
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3.1 Medical
3.2 CMOS image sensor
3.3 Automotive
3.4 Power IC
3.5 Analog
3.6 Discrete
3.7 SRAM / DRAM
3.8 LED |
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| 4.1 Solder Bump |
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| 4.2 BCB + Solder Bump |
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5.1 Sn/Pb ( Sn/Ag ) Bump
5.2 BCB + Sn/Pb ( Sn/Ag )Bump
5.3 Only BCB Process |
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