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首頁 服務項目 製程服務 凸塊製作服務
   
晶圓級晶片尺寸封裝
 
凸塊製作服務簡介
 
 
● 金凸塊
  -

金凸塊:利用薄膜、黃光與電鍍製程在晶片之焊墊上製作金凸塊,接著再利用熱能和壓力將凸塊與焊錫介面接合進行封裝(Assembly)。

  - 銅鎳金凸塊:銅鎳金凸塊製程和金凸塊製程相同,先是在晶片上濺鍍UBM (under bump metallization)底層,再利用黃光蝕刻配合電鍍等製程在IC之訊號輸出入介面或焊墊上製作銅鎳金凸塊。
     
● 焊錫凸塊 (無鉛凸塊/ 錫鉛凸塊)
  -

電鍍焊錫凸塊:晶圓焊錫凸塊製程先是在晶片之焊墊上製作焊錫凸塊,接著再利用熱能將凸塊熔融,進行封裝(assembly)。頎邦目前有不同的焊錫凸塊技術可運用在量產上,這些技術包括了電鍍、銲膏轉印、蒸鍍與銲球直接黏著等方式。

  - 植球焊錫凸塊:WLCSP 選用更大的焊錫球來形成接點藉以進行電性導通,其目的是增加元件與基板底材之間的距離,進而降低並承受來自於基板與元件間因熱膨脹差異產生的應力,增加元件的可靠性。頎邦提供不同的凸塊技術支援WLCSP的應用,這些技術包含電鍍、蒸鍍與銲球直接黏著等方式。
     
● 銅柱無鉛焊錫凸塊
  - 銅柱凸塊(copper pillar bump,CPB)技術是在覆晶封裝晶片的表面製作焊接凸塊,使其具備導電、導熱和抗電子遷移能力的功能。不同於傳統的焊錫凸塊,每個散熱銅柱凸塊就如同微尺寸的固態熱泵。散熱凸塊可整合成標準覆晶封裝的一部份,並與電性凸塊結合(用於電源、接地和訊號),這種技術提供電子產品新的散熱功能,可以如同電晶體、電阻和電容整合到電路設計之中。

 

 

凸塊製程特點
 
● 金凸塊
  - 可大幅縮小IC的體積,並具有密度大、低感應、低成本、散熱能力佳等優點
  - 銅鎳金凸塊是以銅、鎳取代一部分的金,減少金的用量,兼顧到封裝過程中所需的凸塊高度,達到降低材料成本的目的。
     
● 焊錫凸塊 (無鉛凸塊/ 錫鉛凸塊)
  - 電鍍焊錫凸塊:此技術可大幅縮小IC的體積,並具有密度大、低感應、低成本、散熱能力佳等優點。
  -

植球焊錫凸塊:採用晶圓製造的製程及電鍍技術取代現有打金線及機械灌膠封模的製程,不需導線架或基板。利用重分布層技術則可以讓焊錫球的間距作有效率的安排,設計成矩陣式排列(grid array)。在電氣特性有最短的傳輸路徑與優異的可靠度,應用在消費性及手持可攜式產品是最能節省空間與成本的封裝方式。

     
● 銅柱無鉛焊錫凸塊
  - 良好的散熱/導電特性
  - 具低電阻/電感特性 (lower electrical resistance, inductivity)
  - 具低熱阻 (lower thermal resistance)
  - 較佳的抗電遷移能力 (better resistance to electromigration)
  - 提供更細微之線距 (fine pitch)
  - 符合RoHS規範 (Cu post + SnAg cap)

 



凸塊產品應用面
 
 ◎ 金凸塊主要應用面
  - 液晶顯示器
- 記憶體
- 微處理
- 射頻IC等皆可應用
 
 ◎ 焊錫凸塊(無鉛凸塊/錫鉛凸塊)主要應用面
  - 車用電子元件 (Automotive)
- 發光二極體( LED)
- 生物醫療裝置 (Medical devices)
- Driver / Switch
- 消費性產品
- 行動可攜式產品
 
 ◎ 銅柱無鉛焊錫凸塊主要應用面
  - 高腳數邏輯IC (High pin logic)
- 記憶體及行動裝置 (Memory & Mobile)
- LED 次封裝 (submount)
- 車用電子元件 (Automotive)
- 生物醫療裝置 (Medical devices)
 
 
相關晶圓材質及製程
 
  Silicon
  SiGe
  GaAs
  GaN
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