金凸塊服務   - 金凸塊 鍚鉛凸塊服務   - 電鍍焊錫凸塊 - 植球焊錫凸塊服務 銅柱凸塊服務   - 銅柱無鉛焊錫凸塊 金線路重佈 厚銅 晶背金屬化製程 介電層塗佈 驅動IC測試 非驅動IC測試 驅動IC捲帶封裝 晶圓級捲帶封裝 智慧卡和無線射頻識別標籤封裝測試服務   首頁 服務項目 厚銅       1.1 以電鍍製程鍍出Cu 10um以上的厚度一般稱之為厚銅 1.2 RDL(Redistribution Layer)線路重佈用於重新安排凸塊的佈局，或改變bond pad到5~10mm厚高分子組成的area- distributed pad array，這些層也可作為low-k介電層，一種泛被應用的材枓是PI (Polyimide)。以厚銅作為RDL的材料，可以兼顧需要較大電流device的需求。         高效能類比電子元件對於導電性要求較高，須可通過較大電流，以重新佈線晶圓等級封裝方式，選擇電鍍厚銅為線路重佈層與凸塊下方金屬層(UBM)的材料，達到導電性及可靠度之需求。       3.1 Power IC 3.2 Mirocontroller 電源管理IC(Power Management IC)最重要的功能就是要傳遞精確的電流或電壓給工作的電子元件。為使其精準、有效率地運作，電源管理IC要求矽元件和外界連線的阻抗要愈小愈好。因此在高階的應用上，CSP封裝逐漸取代傳統導線封裝，亦即solder bump取代傳統封裝的pin。為了使電源IC能應用於不同的元件模組，需要透過RDL的方式改變其佈線，厚銅(thick Cu)便成為低阻抗、低成本RDL的最佳選擇。       4.1 Thick Cu   4.2 Thick Cu RDL   4.3 PI+ Thick Cu RDL   4.4 PI + Thick Cu RDL+ PI   4.5 Thick Cu/Ni/Au   4.6 Thick Cu/Ni/Au RDL   4.7 PI+ Thick Cu/Ni/Au RDL   4.8 PI+ Thick Cu/Ni/Au RDL+ PI       5.1 Thick Cu 　5.1.1 Thick Cu 　5.1.2 Thick Cu RDL 　5.1.3 PI+ Thick Cu RDL 　5.1.4 PI+ Thick Cu RDL + PI 5.2 Thick Cu/Ni/Au 　5.2.1 Thick Cu/Ni/Au 　5.2.2 PI+ Thick Cu/Ni/Au 　5.2.3 PI+ Thick Cu/Ni/Au RDL 　5.2.4 PI+ Thick Cu/Ni/Au RDL+ PI

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