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| COG是一種將IC與基板相互連接的先進封裝技術，利用覆晶(Flip Chip)技術將長有金凸塊的 IC 晶片，以 ACF 為中間介面，接合在 LCD 的 ITO 端；應用於液晶顯示器上時，由於基板是玻璃，故被稱為COG(Chip on Glass)。 |
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| COG會用Wafer to Tray的方式生產，液晶顯示器(LCD Panel) 模組工廠取得 IC 後，將IC上的金凸塊與液晶顯示器玻璃基板以接著劑將IC與液晶顯示器玻璃基板接合。 |
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| COG因少掉基材、銅箔等，使其封裝完成的厚度最薄，較符合未來產品輕、薄之需求；提高封裝腳數使晶粒間的接點必須縮小，因此在腳數封裝比較中，COG技術最有可能製造最小間距，達到高腳數的效果 封裝技術比較： |
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| 封裝方式 |
優點 |
缺點 |
| TCP |
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技術成熟 |
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無法達到未來細間距要求 |
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製程較複雜 |
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完成的驅動 IC 成本高 |
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| COF |
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基材成本高 |
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| COG |
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成本低 |
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簡化製程 |
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可達 Fine Pitch 要求 |
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不易重工(Re-work) |
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| 3.1 平面顯示器(LCD Panel, PDP Panel, or OLED Panel…) 的驅動 IC(Driver IC) 封裝。 |
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| 製程 |
說明 |
附註 |
研磨
(Grinding) |
研磨製程是 COG 生產線中晶片簿化的製程，目前使用 In feed grinding 製程，先在晶片正面貼上保護膠帶，然後再使用鑽石砂輪對晶片的背面進行粗研磨和細研磨兩次工序，屬於機械式研磨，與前段 CMP 有所不同。 |
已應用產品：Driver IC / Flash / Memory / Finger Chip / RFID / LED drive / Consumer IC / CSP / CMOS |
切割
(Dicing) |
切割製程是裝晶片切成 IC 狀態，以利後段 Die bond & Wire bond 或 Flip chip. |
已應用產品：Driver IC / Flash / Memory / Finger Chip / RFID / LED drive / Consumer IC / CSP / CMOS |
挑揀
(Pick and Place) |
挑揀是將 IC 從 Wafer 上挑出放置在 IC 承載盤上，液晶顯示廠依其製程需求作業。 |
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外觀檢查
(Visual Inspection) |
將挑出的 IC 依客戶的規範進行外觀檢查。 |
使用顯微鏡檢驗 |
包裝
(Packing) |
將 Tray 放置於客戶要求的包材中，包裝成品出貨。 |
將產品置於鋁袋或抗靜電塑膠袋
袋中抽真空出貨 |
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| 5.1 研磨技術能力 |
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| Item |
Description |
| Wafer size |
5” / 6” / 8” / 12” |
| Wafer thickness |
≧4mil |
| Tolerance of wafer thickness |
±10um |
| Roughness/Ra |
0.07um |
| TTV per wafer |
≦5um |
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| 5.2 現行切割技術能力 |
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| Item |
Description |
| Wafer size |
5” / 6” / 8” / 12” |
| Wafer thickness |
≧2mil |
| Chip size |
≧0.6mm*13mm |
| Backside chipping for drive IC |
≦50um |
| Topside chipping for drive IC |
Don't touch seal ring |
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