捲帶式覆晶薄膜封裝
玻璃覆晶封裝
COP封裝
晶圓級晶片尺寸封裝
矽(Si)晶圓
矽鍺(SiGe)晶圓
砷化鎵(GaAs)晶圓
氮化鎵(GaN)晶圓
碳化矽(SiC)晶圓
其他晶圓材質
凸塊製作服務
BSM/ FSM服務
測試服務
封裝服務
封裝貼附服務
DPS服務
軟板製作服務
晶盤製造服務
 
首頁 服務項目 晶圓材質與Substrates 矽鍺晶圓
   
晶圓級晶片尺寸封裝
 
SiGe晶圓特點
 
SiGe技術與主流矽晶片技術製程可相容，在高頻環境下，矽鍺技術較矽晶具有較佳的低雜訊及低功率損耗等優異的高頻特性和優點，不但適合於與 CMOS 整合成 BiCMOS的高集積度、高效益、低成本的製程技術，同時也能提供元件縮小化問題解決方案。
 
產品應用面
 
　◎ 應用面
 

- RF IC
- CMOS
- 高速CMOS
- BiCMOS
- HBTs

   - SiGe整流器
- 功率放大器
- Bluetooth
- 行動電話
- SoC或光纖骨幹網路SONET介面IC
  
 
技術範疇
 
　◎ 頎邦科技提供的技術服務
 

◆ 晶圓尺寸: 6吋, 8吋, 12吋
◆ Foundry Technology: SOI(SGOI), HBT, BiCMOS
◆ 製程技術: RDL & Cu Pillar, RDL & Solder, Ball Placement等凸塊技術, DC及RF晶圓測試, DPS服務 (薄化及晶粒化)

  
 
相關製程與服務
 
　　WLCSP
　　Bumping Service
　　Test Service
　　DPS Service
 
 
 
 
 
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