特點
SiGe技術與主流矽晶片技術製程可相容,在高頻環境下,矽鍺技術較矽晶具有較佳的低雜訊及低功率損耗等優異的高頻特性和優點,不但適合於與 CMOS 整合成 BiCMOS的高集積度、高效益、低成本的製程技術,同時也能提供元件縮小化問題解決方案。
主要應用面
頎邦技術範疇