捲帶式覆晶薄膜封裝
玻璃覆晶封裝
COP封裝
晶圓級晶片尺寸封裝
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矽鍺(SiGe)晶圓
砷化鎵(GaAs)晶圓
氮化鎵(GaN)晶圓
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其他晶圓材質
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晶盤製造服務
 
首頁 服務項目 晶圓材質與Substrates 砷化鎵晶圓
   
晶圓級晶片尺寸封裝
 
砷化鎵晶圓特點
 
砷化鎵(GaAs)可作半導體材料,其電子遷移率高、介電常數小,能引入深能級雜質、電子有效質量小,能帶結構特殊,可作磊晶片。
砷化鎵(GaAs)材料,具有高頻、低雜訊、高效率及低耗電等特性。
GaAs本身為半絕緣的材料。因此在GaAs晶片上設計功率放大器所需的匹配網路,可以有較低的損耗。對於可以達到的輸出功率與操作效率也有一定的影響。
砷化鎵的應用領域不只在通訊上。因為砷化鎵具有可發光、可吸收光的物理特性,是人臉辨識系統 ,或是未來 AR/VR 以及自駕車,都是砷化鎵的未來舞台。
砷化鎵性脆而硬的特性,易於生產製程中產生破碎,因此在生產過程的運輸傳送,生產治工具操作,研磨技術及切割技術等需要相關開發。
頎邦於2000年初開發至今,晶片良率有很好的表現。
 

產品應用面
 
 ◎ 應用面
 

- 功率放大器
- 光電元件
- 高頻通訊用元件

  - 無線區域網路(WLAN)
- 光纖通訊
- 衛星通訊微波通訊
 
 

技術範疇
 
 ◎ 頎邦科技提供的技術服務
 

◆ 晶圓尺寸: 4吋及6吋
◆ Foundry Technology: HBT, PHEMT,BIHEMT
◆ 製造技術: Cu Pillar, Solder, Ball Placement等凸塊技術, DC測試及RF測試, 砷化鎵薄化及晶粒化。

 
 

相關製程與服務
 
  WLCSP
  Bumping Service
  Test Service
  DPS Service
 
 
 
 
 
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