捲帶式覆晶薄膜封裝
玻璃覆晶封裝
COP封裝
晶圓級晶片尺寸封裝
矽(Si)晶圓
矽鍺(SiGe)晶圓
砷化鎵(GaAs)晶圓
氮化鎵(GaN)晶圓
碳化矽(SiC)晶圓
其他晶圓材質
凸塊製作服務
BSM/ FSM服務
測試服務
封裝服務
封裝貼附服務
DPS服務
軟板製作服務
晶盤製造服務
 
首頁 服務項目 晶圓材質與Substrates 氮化鎵晶圓
   
晶圓級晶片尺寸封裝
 
氮化鎵晶圓特點
 

現今半導體產業主要著重於矽(Si)晶圓的技術發展,而隨著5G、數據中心、電動車、太空科技等應用逐漸成熟茁壯,市場越來越要求元件的高功率、低損耗及微縮尺寸,而氮化鎵(GaN)根據其特性,成為了符合此趨勢的新一代材料。
氮化鎵為寬能隙(WBG, wide band gap)半導體材料,與碳化矽(SiC)同屬第三代半導體材料。與傳統矽材料相比,能更有效傳輸電子,且具備耐高溫、耐高壓、散熱佳、能源轉換效率較好、高工作頻率等特性,氮化鎵可經由磊晶的技術沉積在不同的基板上,包括矽(Si)、碳化矽(SiC)和藍寶石(Sapphire),其中GaN-on-Si基於基礎矽技術上,可用較低的資本支出進行生產。
頎邦科技以合作開發的角度,提供封裝技術並致力於協助客戶拓展氮化鎵市場。

 

產品應用面
 
 ◎ 應用面
 

- 5G行動通訊 (5G Communication)
- 數據中心 (Data Center)
- 車用電子 (Automotive Electronics)

  - 電動車 (EV, Electric Vehicle)
- 無線充電 (Wireless Charging)
- 航太 (Aerospace)
 
 

技術範疇
 
 ◎ 頎邦科技提供的技術服務
 

◆ 晶圓尺寸: 6吋(6-inch)
◆製程技術: 晶圓凸塊(bumping)、晶圓測試(chip probing)、晶圓研磨(backgrinding)、晶圓切割(sigulation)、晶圓挑揀(pick&place、tape&reel)

 
 

相關製程與服務
 
  WLCSP
  Bumping Service
  Test Service
  DPS Service
 
 
 
 
 
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