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特點 |
現今半導體產業主要著重於矽(Si)晶圓的技術發展，而隨著5G、數據中心、電動車、太空科技等應用逐漸成熟茁壯，市場越來越要求元件的高功率、低損耗及微縮尺寸，而氮化鎵(GaN)根據其特性，成為了符合此趨勢的新一代材料。
氮化鎵為寬能隙(WBG, wide band gap)半導體材料，與碳化矽(SiC)同屬第三代半導體材料。與傳統矽材料相比，能更有效傳輸電子，且具備耐高溫、耐高壓、散熱佳、能源轉換效率較好、高工作頻率等特性，氮化鎵可經由磊晶的技術沉積在不同的基板上，包括矽(Si)、碳化矽(SiC)和藍寶石(Sapphire)，其中GaN-on-Si基於基礎矽技術上，可用較低的資本支出進行生產。
頎邦科技以合作開發的角度，提供封裝技術並致力於協助客戶拓展氮化鎵市場。
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主要應用面 |
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頎邦技術範疇 |