捲帶式覆晶薄膜封裝
玻璃覆晶封裝
COP封裝
晶圓級晶片尺寸封裝
矽(Si)晶圓
矽鍺(SiGe)晶圓
砷化鎵(GaAs)晶圓
氮化鎵(GaN)晶圓
碳化矽(SiC)晶圓
其他晶圓材質
凸塊製作服務
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首頁 服務項目 晶圓材質與Substrates 碳化矽晶圓
   
晶圓級晶片尺寸封裝
 
碳化矽晶圓特點
 

碳化矽是由矽(Si)與碳(C)組成的化合物半導體材料,比起傳統的矽材料有著以下優勢:更寬的能隙(3.3eV)、更大的導熱係數及更高的崩潰電場,代表碳化矽的電流傳輸、高溫傳導及耐高電壓更為優秀。
碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)同屬第三代半導體材料,其材料特性相似,但應用領域略有不同。氮化鎵適用於中壓領域(100~650V)及高頻的產品,而碳化矽則可用於更高壓(>650V)高溫的領域。
由於碳化矽在高電壓工作環境下的表現優異,SiC MOSFET被視為可有效取代Si IGBT,其切換損失降低了80%以上,可大幅縮減電力移轉時的能源損失。搭配上前面提到的材料特性,預計可讓晶片模組尺寸微縮至1/10。

 

產品應用面
 
 ◎ 應用面
 

- 車用電子 (Automotive Electronics)
- 電動車充電系統 (EV Charging System)
- 逆變器 (Inverter)

  - 太陽能光電 (Photovoltaic)
- 不斷電系統 (UPS, Uninterruptible power system)
- 電源供應器 (Power Supply)
 
 

技術範疇
 
 ◎ 頎邦科技提供的技術服務
 

◆ 晶圓尺寸: 6吋(6-inch)
◆製程技術 : 晶圓凸塊(bumping)、晶圓測試(chip probing)、晶圓研磨(backgrinding)、晶圓切割(sigulation)、晶圓挑揀(pick&place、tape&reel)

 
 

相關製程與服務
 
  WLCSP
  Bumping Service
  Test Service
  DPS Service
 
 
 
 
 
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