碳化矽是由矽(Si)與碳(C)組成的化合物半導體材料,比起傳統的矽材料有著以下優勢:更寬的能隙(3.3eV)、更大的導熱係數及更高的崩潰電場,代表碳化矽的電流傳輸、高溫傳導及耐高電壓更為優秀。碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)同屬第三代半導體材料,其材料特性相似,但應用領域略有不同。氮化鎵適用於中壓領域(100~650V)及高頻的產品,而碳化矽則可用於更高壓(>650V)高溫的領域。由於碳化矽在高電壓工作環境下的表現優異,SiC MOSFET被視為可有效取代Si IGBT,其切換損失降低了80%以上,可大幅縮減電力移轉時的能源損失。搭配上前面提到的材料特性,預計可讓晶片模組尺寸微縮至1/10。
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◆ 晶圓尺寸: 6吋(6-inch) ◆製程技術 : 晶圓凸塊(bumping)、晶圓測試(chip probing)、晶圓研磨(backgrinding)、晶圓切割(sigulation)、晶圓挑揀(pick&place、tape&reel)