碳化矽是由矽(Si)與碳(C)組成的化合物半導體材料，比起傳統的矽材料有著以下優勢:更寬的能隙(3.3eV)、更大的導熱係數及更高的崩潰電場，代表碳化矽的電流傳輸、高溫傳導及耐高電壓更為優秀。
碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)同屬第三代半導體材料，其材料特性相似，但應用領域略有不同。氮化鎵適用於中壓領域(100~650V)及高頻的產品，而碳化矽則可用於更高壓(>650V)高溫的領域。
由於碳化矽在高電壓工作環境下的表現優異，SiC MOSFET被視為可有效取代Si IGBT，其切換損失降低了80%以上，可大幅縮減電力移轉時的能源損失。搭配上前面提到的材料特性，預計可讓晶片模組尺寸微縮至1/10。