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特點 |
砷化鎵(GaAs)可作半導體材料，其電子遷移率高、介電常數小，能引入深能級雜質、電子有效質量小，能帶結構特殊，可作磊晶片。
砷化鎵(GaAs)材料，具有高頻、低雜訊、高效率及低耗電等特性。
GaAs本身為半絕緣的材料。因此在GaAs晶片上設計功率放大器所需的匹配網路，可以有較低的損耗。對於可以達到的輸出功率與操作效率也有一定的影響。
砷化鎵的應用領域不只在通訊上。因為砷化鎵具有可發光、可吸收光的物理特性，是人臉辨識系統 ，或是未來 AR/VR 以及自駕車，都是砷化鎵的未來舞台。
砷化鎵性脆而硬的特性，易於生產製程中產生破碎，因此在生產過程的運輸傳送，生產治工具操作，研磨技術及切割技術等需要相關開發。頎邦於2000年初開發至今，晶片良率有很好的表現。
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主要應用面 |
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頎邦技術範疇 |