製程簡介
金凸塊之製程是利用薄膜、黃光與電鍍製程在晶片之焊墊上製作金凸塊，接著再利用熱能和壓力將凸塊與焊錫介面接合進行封裝 (Assembly)。
銅鎳金凸塊製程和金凸塊製程相同，先是在晶片上濺鍍 UBM (under bump metallization) 底層，再利用黃光蝕刻配合電鍍等製程在 IC 之訊號輸出入介面或焊墊上製作銅鎳金凸塊。
特點
可大幅縮小IC的體積，並具有密度大、低感應、低成本、散熱能力佳等優點
主要應用面
