Chipbond
矽鍺晶圓

特點

SiGe技術與主流矽晶片技術製程可相容，在高頻環境下，矽鍺技術較矽晶具有較佳的低雜訊及低功率損耗等優異的高頻特性和優點，不但適合於與 CMOS 整合成 BiCMOS的高集積度、高效益、低成本的製程技術，同時也能提供元件縮小化問題解決方案。

 

主要應用面
  • RF IC
  • CMOS
  • 高速CMOS
  • BiCMOS
  • HBTs
  • SiGe整流器
  • 功率放大器
  • Bluetooth
  • 行動電話
  • SoC或光纖骨幹網路SONET介面IC

 

頎邦技術範疇
  • 晶圓尺寸：6吋, 8吋, 12吋
  • Foundry Technology：SOI(SGOI), HBT, BiCMOS
  • 製程技術：RDL & Cu Pillar Bump, RDL & Solder Bump, Ball Placement等凸塊技術, DC及RF晶圓測試, DPS服務 (薄化及晶粒化)